IPI12CN10N G

Framleiðandi Vöru númer:

IPI12CN10N G

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPI12CN10N G-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Birgðir:

RFQ á netinu

12802993

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IPI12CN10N G Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

-

Röð

OptiMOS™

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

67A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

12.9mOhm @ 67A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 83µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

65 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

4320 pF @ 50 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

125W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

PG-TO262-3

Pakki / hulstur

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Grunnvörunúmer

IPI12C

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

IPI12CN10N G-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

IP(B,D,I,P)12CN10N G

Aukainformation

Venjulegur pakki

500

Önnur nöfn

IPI12CN10NG

IPI12CN10N G-DG

SP000208928

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

IPAW60R280CEXKSA1

MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220

infineon-technologies

AUIRF9Z34N

MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB

infineon-technologies

IRFZ34NSTRR

MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

infineon-technologies

IRFR4104TRL

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK